2016年10月30日

平成28年度 技術士第一次試験問題 情報工学部門 V−10

V−10
ページング方式の仮想記憶システムにおいて、スラッシングが発生した際の対処方法と
して次の記述のうち、最も適切なものはどれか。

 @ 主記憶装置の容量を減らす。
 A 同時に実行するプロセスを減らす。
 B 補助記憶装置上に確保している仮想記憶用の領域の容量を増やす。
 C 補助記憶装置のフラグメンテーションを解消する。
 D 補助記憶装置の容量を増やす。



【正解】 A
スラッシングは、ページング方式の仮想記憶において、ページ置換えの発生頻度が
高くなり、システムの処理能力が急激に低下すること現象のことである。

@主記憶装置の容量を増やす必要がある。
A正しい。
B〜Dスラッシングの対策にはならない。

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posted by ファーストマクロ at 10:24| Comment(0) | H28技術士一次試験(情報工学)
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