2017年04月11日

平成28年度秋期 応用情報技術者試験問題 問21

問21
フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

 ア 高速に書換えができ、CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。
 イ 紫外線で全内容の消去ができる。
 ウ 周期的にデータの再書込みが必要である。
 エ ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。





【正解】 エ

ア 
SRAM (Static Random Access Memory) の説明である。
 SRAMは、読書き自由なRAMの一種で、コンピュータの電源を
 落とすと、記憶内容も消える揮発性メモリである。
イ 
UV-EPROM (UltraViolet Erasable Programmable Read
 Only Memory = 紫外線消去型EPROM) の説明である。
ウ 
DRAM (Dynamic Random Access Memory) の説明である。
 DRAMは、読書き自由なRAMの一種で、リフレッシュ動作が
 必要なメモリであり、PCの主記憶として用いられる。
エ 正しい。
フラッシュメモリは、不揮発性のメモリでNAND型又は
 NOR型があり、SSD (Solid State Drive) に用いられる。


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posted by ファーストマクロ at 20:45| Comment(0) | H28秋応用情報技術者
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