2018年04月30日

平成30年度春期 応用情報技術者試験問題 問10

問10
NAND 型フラッシュメモリに関する記述として、適切な
ものはどれか。

 ア バイト単位で書込み、ページ単位で読出しを行う。
 イ バイト単位で書込み及び読出しを行う。
 ウ ページ単位で書込み、バイト単位で読出しを行う。
 エ ページ単位で書込み及び読出しを行う。



【正解】 エ

フラッシュメモリは、不揮発性のメモリでNAND型又はNOR型があり、SSDに用いられる。

NAND 型はデータの書き込みが速く、ページ単位で書込み及び読出しを行う。
NOR 型は読み込みが早く、信頼性が高い。1バイト単位で書込み及び読出しを行う。


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posted by ファーストマクロ at 07:59| Comment(0) | H30春応用情報技術者
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