2018年11月30日

平成30年度秋期 応用情報技術者試験問題 問10

問10
相変化メモリの説明として、適切なものはどれか。

 ア 一度だけ書き込みが可能な不揮発性メモリ
 イ 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する
   不揮発性メモリ
 ウ フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
 エ リフレッシュ動作が可能な揮発性メモリ



【正解】 イ

ア 
PROM (Programmable Read Only Memory) が該当する。
イ 正しい。「
そうへんか」と読む。
 PCM (Phase-Change Memory) や、PCRAM (Phase Change Random Access Memory)
 とも呼ばれる。
ウ 
SRAM (Static Random Access Memory) の説明である。
エ 
DRAMを意識した選択肢と考えられる。
 DRAM (Dynamic Random Access Memory) は、読書き自由なRAMの一種で、
 リフレッシュ動作が
必要なメモリであり、PCの主記憶として用いられる。

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タグ:メモリ
posted by ファーストマクロ at 18:55| Comment(0) | H30秋応用情報技術者
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