相変化メモリの説明として、適切なものはどれか。
ア 一度だけ書き込みが可能な不揮発性メモリ
イ 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する
不揮発性メモリ
ウ フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
エ リフレッシュ動作が可能な揮発性メモリ
ア PROM (Programmable Read Only Memory) が該当する。
イ 正しい。「そうへんか」と読む。
PCM (Phase-Change Memory) や、PCRAM (Phase Change Random Access Memory)
とも呼ばれる。
ウ SRAM (Static Random Access Memory) の説明である。
エ DRAMを意識した選択肢と考えられる。
DRAM (Dynamic Random Access Memory) は、読書き自由なRAMの一種で、
リフレッシュ動作が必要なメモリであり、PCの主記憶として用いられる。
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